BSC100N06LS3GATMA1和TPCA8049-H

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC100N06LS3GATMA1 TPCA8049-H CSD18534Q5A

描述 INFINEON  BSC100N06LS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.7 VTOSHIBA  TPCA8049-H  晶体管, MOSFET, 功率, N沟道, 28 A, 60 V, 0.0066 ohm, 10 V, 1.3 V60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18534Q5A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8 SOP PowerTDFN-8

额定功率 50 W - -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0078 Ω 0.0066 Ω 0.0078 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 45 W 3.1 W

阈值电压 1.7 V 1.3 V 1.9 V

输入电容 2600 pF - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 12A - 50A

上升时间 58 ns - 5.5 ns

输入电容(Ciss) 2600pF @30V(Vds) - 1770pF @30V(Vds)

下降时间 8 ns - 2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) - 3.1W (Ta), 77W (Tc)

通道数 - - 1

额定功率(Max) - - 3.1 W

长度 5.49 mm - 5.8 mm

宽度 5.15 mm - 5 mm

高度 1.27 mm - 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8 SOP PowerTDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

香港进出口证 - - NLR

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