对比图
型号 IS61QDB21M36-250M3L IS61QDB21M36A-250M3L IS61QDB21M36-250M3
描述 DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165Pin FBGA静态随机存取存储器 36Mb 1Mbx36 QUAD Sync 静态随机存取存储器
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA-165
电源电压(DC) 1.80 V, 1.89 V (max) - 1.80 V, 1.89 V (max)
时钟频率 250MHz (max) - 250MHz (max)
位数 36 36 36
存取时间 - 0.45 ns 4 ns
内存容量 36000000 B - 36000000 B
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.71V ~ 1.89V 1.71V ~ 1.89V 1.71V ~ 1.89V
供电电流 - 1000 mA -
封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 无铅 无铅
ECCN代码 EAR99 - -