对比图
型号 MHT1006NT1 MRFG35003N6AT1
描述 RF Power Transistor,728 to 2700MHz, 10W, Typ Gain in dB is 19.8 @ 2400MHz, 28V, LDMOS, SOT1811RF Power Transistor,500 to 5000MHz, W, Typ Gain in dB is 10 @ 3550MHz, 6 to 6V, GaAs, SOT1811
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管JFET晶体管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 3 3
封装 PLD-1 PLD-1
频率 2.17 GHz 3.55 GHz
无卤素状态 - Halogen Free
输出功率 1.26 W 450 mW
增益 21.7 dB 10 dB
测试电流 90 mA 180 mA
额定电压 65 V 8 V
电源电压 28 V 6 V
封装 PLD-1 PLD-1
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99