对比图
型号 IRFS23N20DPBF FQB34N20TM_AM002 IRFS23N20D
描述 INFINEON IRFS23N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 VTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RD2PAK N-CH 200V 24A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 200 V 200 V
额定电流 - 31.0 A 24.0 A
漏源极电阻 0.1 Ω 57.0 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 3.13 W 3.8W (Ta), 170W (Tc)
输入电容 - 2.40 nF -
栅电荷 - 60.0 nC -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V 200 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 24A 31.0 A 24.0 A
上升时间 32 ns 280 ns 32.0 ns
输入电容(Ciss) 1960pF @25V(Vds) 3100pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.13 W -
下降时间 16 ns 115 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
产品系列 - - IRFS23N20D
额定功率 170 W - -
针脚数 3 - -
阈值电压 5.5 V - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm - -
宽度 9.65 mm - -
高度 4.83 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 -