JAN2N1483和JANTX2N1483

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N1483 JANTX2N1483 2N1483

描述 NPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORNPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORPower Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 Pin,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) API Technologies

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-8 TO-8 -

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 3A 3A -

耗散功率 - 1.75 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1750 mW -

封装 TO-8 TO-8 -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

材质 - Silicon -

RoHS标准 - Non-Compliant -

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