对比图
型号 IPI80N04S3-03 IPP80N04S2L-03 IPP80N04S3-03
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorOptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 188 W 300 W 188 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80A
上升时间 17 ns 50 ns 17 ns
输入电容(Ciss) 7300pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds) 7300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 188 W 300 W 188 W
下降时间 14 ns 27 ns 14 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 3.4 mΩ -
漏源击穿电压 - 40 V -
长度 10.2 mm 10 mm 10 mm
宽度 4.5 mm 4.4 mm 4.4 mm
高度 9.45 mm 15.65 mm 15.65 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -