BZT52H-C9V1和BZV55-B9V1,115

对比图

型号 BZT52H-C9V1 BZV55-B9V1,115 BZT52-C9V1

描述 830mW，BZT52H 系列，NXP Semiconductors通用齐纳二极管高达 830mW 齐纳电压范围内的严格容差 表面安装外壳，SOD-123F ### 齐纳二极管，NXP SemiconductorsNXP  BZV55-B9V1,115  单管二极管 齐纳, 9.1 V, 400 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °CZener Diode, 9.1V V(Z), 4.99%, 0.41W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) PANJIT Touch Screens

分类 齐纳二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 2 -

封装 SOD-123F SOD-80 -

容差 - ±2 % -

针脚数 - 2 -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 830 mW 400 mW -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 9.1 V 9.1 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

封装 SOD-123F SOD-80 -

长度 2.7 mm - -

宽度 1.7 mm - -

高度 1.2 mm - -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - 5.5 mV/K -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -