FJX3906TF和MMBT3906TT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJX3906TF MMBT3906TT1G MMST3906-7-F

描述 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906TT1G  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 200 mW, -200 mA, 30 hFEMMST3906 系列 PNP 40 V 200 mW 小信号 晶体管 表面贴装- SOT-323-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323 SC-75-3 SOT-323-3

频率 250 MHz 250 MHz 300 MHz

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -40.0 V

额定电流 -200 mA -200 mA -200 mA

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 0.35 W 200 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 300 - 300

额定功率(Max) 350 mW 200 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 200 mW

额定功率 - - 0.2 W

直流电流增益(hFE) - 300 100

针脚数 - 3 -

长度 2 mm 1.65 mm 2.2 mm

宽度 1.25 mm 0.9 mm 1.35 mm

高度 1 mm 0.8 mm 1 mm

封装 SOT-323 SC-75-3 SOT-323-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

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