IS63LV1024-10T和IS63LV1024L-10T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS63LV1024-10T IS63LV1024L-10T PDM31034SA10TITY

描述 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUTIC SRAM 1Mbit 10NS 32TSOPStandard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP2-32

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) IXYS Semiconductor

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 TSOP-2 SOIC-32 TSOP-2

安装方式 - Surface Mount -

封装 TSOP-2 SOIC-32 TSOP-2

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

存取时间 - 10 ns -

内存容量 - 1000000 B -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3 V -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

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