对比图


描述 5A,30V,N沟道MOSFETN沟道 30V 5A
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 SOT-363-6 SOT-363-6
耗散功率 1.5W (Ta) 1.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 11 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 280pF @10V(Vds) 280pF @10V(Vds)
下降时间 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)
无卤素状态 Halogen Free -
额定功率(Max) 1.5 W -
封装 SOT-363-6 SOT-363-6
长度 2 mm -
宽度 1.6 mm -
高度 0.85 mm -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free