对比图
型号 SI4562DY-T1-E3 SI4562DY-T1-GE3
描述 Dual n/p Channel Mosfet, 20V, 7.1A/-6.2A, Soic-8, Full ReelMOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 -
封装 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 250 mΩ, 330 mΩ -
极性 N-Channel, P-Channel -
耗散功率 2.00 W -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V -
连续漏极电流(Ids) 7.10 A, 6.20 A -
额定功率(Max) 2 W 2 W
封装 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 4.9 mm
宽度 - 3.9 mm
高度 - 1.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free