SMBJ150HE3/5B和SMBJ150AHE3/5B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMBJ150HE3/5B SMBJ150AHE3/5B

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 150V 10% Unidir AEC-Q101 QualifiedDiode TVS Single Uni-Dir 150V 600W 2Pin SMB T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AA-2 DO-214AA

工作电压 150 V -

击穿电压 167 V 167 V

耗散功率 1 W 600 W

钳位电压 268 V 243 V

脉冲峰值功率 600 W 600 W

最小反向击穿电压 167 V 167 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

封装 DO-214AA-2 DO-214AA

宽度 - 3.94 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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