MT46V16M16CY-5B:M TR和MT46V16M16CY-5B:K TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT46V16M16CY-5B:M TR MT46V16M16CY-5B:K TR

描述 DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V 60Pin FBGADRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V 60Pin FBGA T/R

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 60 60

封装 FBGA-60 TFBGA-60

安装方式 Surface Mount -

位数 16 16

存取时间(Max) 0.7 ns 0.7 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 2.5V ~ 2.7V 2.5V ~ 2.7V

供电电流 175 mA -

存取时间 700 ps -

高度 - 0.8 mm

封装 FBGA-60 TFBGA-60

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 -

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