对比图
型号 MRF6S19100HR3 MRF6S21140HR3 MRF8S18120HR3
描述 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990MHz, 22W Avg., 28V2 x W-CDMA, Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 30W Avg., 28VGSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1805-1880MHz, 72W CW, 28V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Flange Flange Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 NI-780H-2L NI-880 NI-780H-2L
频率 1.99 GHz 2.12 GHz 1.81 GHz
额定电压(DC) 28.0 V 28.0 V -
额定电流 10 µA 10 µA 10 µA
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
漏源极电压(Vds) 28.0 V 28.0 V -
输出功率 22 W 30 W 72 W
增益 16.1 dB 15.5 dB 18.2 dB
测试电流 900 mA 1.2 A 800 mA
工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
额定电压 68 V 68 V 65 V
封装 NI-780H-2L NI-880 NI-780H-2L
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99