ICS502MILF和NB3N502DG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICS502MILF NB3N502DG 502MLFT

描述 IDT)### 时钟发生器/缓冲器ON SEMICONDUCTOR  NB3N502DG  芯片, 锁相环时钟乘法器, 8SOICClock Generator 2MHz to 50MHz Input 190MHz Output 8Pin SOIC N T/R

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) ON Semiconductor (安森美) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 时钟信号器件时钟发生器时钟发生器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

频率 - 190 MHz -

电源电压(DC) - 3.00V (min) -

无卤素状态 - Halogen Free -

输出接口数 - 2 2

供电电流 - 20 mA 20 mA

电路数 - 1 1

针脚数 - 8 -

占空比 - 50 % 51 %

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 - 3V ~ 5.5V 3V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 3 V -

最大占空比 - - 55 %

长度 5 mm 5 mm 4.90 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

厚度 - - 1.50 mm

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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