PIC12F635-I/MD和PIC12F635-I/SN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC12F635-I/MD PIC12F635-I/SN PIC12F635-I/P

描述 PIC12 系列 64 B RAM 1.75 kB 闪存 8位 CMOS 微控制器 - DFN-8MICROCHIP  PIC12F635-I/SN  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12F6xx, 20 MHz, 1.75 KB, 64 Byte, 8 引脚, SOICMICROCHIP  PIC12F635-I/P  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12F6xx, 20 MHz, 1.75 KB, 64 Byte, 8 引脚, DIP

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DFN-8 SOIC-8 PDIP-8

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 20.0 MHz 20 MHz 8 MHz

RAM大小 64 b 64 B 64 b

位数 8 8 8

FLASH内存容量 1.75 KB 1792 B 1.75 KB

I/O引脚数 6 6 6

存取时间 20.0 µs 20.0 µs 20.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

电源电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 2 V 2 V 2 V

频率 - 20 MHz 20 MHz

工作电压 - 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 800 mW 800 mW

内存容量 - 1000 B 1000 B

内核子架构 - PIC12 PIC12

模数转换数(ADC) - 0 0

输入/输出数 - 6 Input 6 Input

长度 4 mm 4.9 mm 10.16 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 0.28 in

高度 0.88 mm 1.5 mm 4.95 mm

封装 DFN-8 SOIC-8 PDIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台