71V67602S133PFGI8和IDT71V67602S133PFI8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V67602S133PFGI8 IDT71V67602S133PFI8

描述 静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW P/LIC SRAM 9Mbit 133MHz 100TQFP

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TQFP-100 LQFP-100

引脚数 100 -

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

存取时间 4.2 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -

封装 TQFP-100 LQFP-100

长度 20 mm -

宽度 14 mm -

高度 1.4 mm -

厚度 1.40 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - 3A991

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