SM8S12AHE3_A/I和SM8S12HE3/2D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SM8S12AHE3_A/I SM8S12HE3/2D SM8S12AHE3/2D

描述 Tvs Diode 19.9vc 332A Do-218abESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM8S12AHE3_A/IVISHAY SM8S12AHE3/2D TVS Diode, SM8S Series, Unidirectional, 12V, 19.9V, DO-218AB, 2Pins

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 电流滤波器件TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DO-218AB DO-218AB-2 DO-218AB

引脚数 - - 2

脉冲峰值功率 6600 W 6600 W 6.6 kW

最小反向击穿电压 13.3 V 13.3 V 13.3 V

工作电压 - 12 V -

击穿电压 - 13.3 V -

钳位电压 - 22 V 19.9 V

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

最大反向击穿电压 - - 14.7 V

封装 DO-218AB DO-218AB-2 DO-218AB

长度 - - 13.7 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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