对比图
型号 JAN2N5682 JANTX2N5682 2N5682
描述 Trans GP BJT NPN 120V 1A 3Pin TO-39Trans GP BJT NPN 120V 1A 3Pin TO-3910W High Voltage NPN Metal Can Transistor. 120V Vceo, 1A Ic, 5 hFE.
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Continental Device
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-205 TO-39 -
击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @250mA, 2V 40 @250mA, 2V -
额定功率(Max) 1 W 1 W -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -
封装 TO-205 TO-39 -
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bag Bag -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -
含铅标准 -
香港进出口证 - NLR -