对比图
描述 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP TransistorTrans GP BJT PNP 60V 4A 36000mW 3Pin(3+Tab) TO-126 BagBJT
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 SOT-32
频率 3 MHz 3 MHz -
额定电压(DC) -60.0 V - -
额定电流 -4.00 A - -
极性 PNP - -
耗散功率 36 W 36 W -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -
集电极最大允许电流 4A - -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 1V 40 @500mA, 1V -
额定功率(Max) 36 W 36 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 36000 mW 36000 mW 36000 mW
封装 TO-126-3 TO-126-3 SOT-32
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Bulk Bag Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -