对比图
型号 IS61LV25616AL-10TLI IS61LV25616AL-10TLI-TR IS61LV25616AL-10TI
描述 RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）4Mb, High-Speed/Low Power, Async, 256K x 16, 10ns, 3.3V, 44Pin TSOP II, RoHS4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K X 16,10ns,3.3V,44Pin TSOP II
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 44 44 44
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)
供电电流 - 110 mA -
位数 16 16 16
存取时间 10 ns 10 ns 10 ns
内存容量 4000000 B 4000000 B 4000000 B
存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
电源电压(Min) 3.135 V 3.135 V 3.135 V
工作电压 3.3 V - -
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
长度 18.52 mm - -
宽度 10.29 mm - -
高度 1.05 mm - -
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 PB free 无铅 Contains Lead
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - -