1N1188和JAN1N1188

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N1188 JAN1N1188 PBY304

描述 Diode Switching 400V 35A 2Pin DO-5军事硅电力整流器 Military Silicon Power RectifierRectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 400V V(RRM), Silicon, DO-5, METAL PACKAGE-1

数据手册 ---

制造商 GeneSiC Semiconductor Microsemi (美高森美) Semikron (赛米控)

分类 功率二极管功率二极管

基础参数对比

引脚数 2 2 -

封装 DO-5 DO-203AB DO-5

安装方式 Chassis - -

正向电压 1.2V @35A 1.4 V -

正向电流 35 A 35000 mA -

正向电流(Max) 35000 mA 35000 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

正向电压(Max) 1.2 V - -

封装 DO-5 DO-203AB DO-5

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

军工级 - Yes -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 140 ℃ - -

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