BSO200P03S和SI4403CDY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO200P03S SI4403CDY-T1-GE3

描述 的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS-P Small-Signal-TransistorSmall Signal Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 20V, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Intertechnology

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

封装 DSO -

额定电压(DC) -30.0 V -

额定电流 -7.40 A -

极性 P-CH -

输入电容 2.33 nF -

栅电荷 54.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 9.10 A -

封装 DSO -

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead -

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