对比图
型号 CY7C1314KV18-250BZC CY7C1314KV18-250BZI CY7C1314KV18-250BZCT
描述 18 - Mbit的QDR ？ II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR ？ II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 18Mb 250Mhz 1.8V 512Kx36 QDR II 静态随机存取存储器
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
位数 36 36 36
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
存取时间 0.45 ns - -
电源电压(Max) 1.9 V - -
电源电压(Min) 1.7 V - -
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a -