GAL22V10C-10LPI和PALCE22V10-10PI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GAL22V10C-10LPI PALCE22V10-10PI GAL22V10B-10LP

描述 High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic闪存擦除可再编程的CMOS PAL器件 Flash-erasable Reprogrammable CMOS PAL DeviceHigh Performance E2CMOS PLD, 10ns, low power

数据手册 ---

制造商 Lattice Semiconductor (莱迪思) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Lattice Semiconductor (莱迪思)

分类

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 24 -

封装 DIP DIP DIP

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

高度 - 3.56 mm -

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant -

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