对比图
型号 IPP60R190C6 IPW60R190C6 IPA60R190C6
描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
通道数 - 1 1
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 151W (Tc) 151 W 34 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 20.2A 20.2A 20.2A
输入电容(Ciss) 1400pF @100V(Vds) 1400pF @100V(Vds) 1400pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 34 W 151 W 34 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 151W (Tc) 151W (Tc) 34W (Tc)
阈值电压 3 V - 2.5 V
上升时间 11 ns - 11 ns
下降时间 9 ns - 9 ns
漏源极电阻 - - 170 mΩ
漏源击穿电压 - - 600 V
长度 10.36 mm 16.13 mm 10.65 mm
宽度 15.95 mm 5.21 mm 4.85 mm
高度 4.57 mm 21.1 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR NLR -