IPA80R650CEXKSA1和IPA80R650CEXKSA2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA80R650CEXKSA1 IPA80R650CEXKSA2

描述 TO-220 整包晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

额定功率 33 W -

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 33 W 33 W

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 8A 8A

上升时间 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds)

下降时间 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 33W (Tc) 33W (Tc)

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.56 Ω

阈值电压 - 3 V

长度 10.65 mm 10.65 mm

宽度 4.85 mm 4.85 mm

高度 16.15 mm 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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