BUK96180-100A和BUK96180-100A,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK96180-100A BUK96180-100A,118 934056121118

描述 逻辑电平FET Logic level FETD2PAK N-CH 100V 11APower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 D2PAK TO-263-3 -

漏源极电阻 - 0.152 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 54.0 W 54 W -

阈值电压 - 1.5 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A -

上升时间 - 112 ns -

输入电容(Ciss) - 619pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 54 W -

下降时间 - 25 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

耗散功率(Max) - 54W (Tc) -

封装 D2PAK TO-263-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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