对比图
型号 IS62WV12816BLL-55TLI IS62WV12816BLL-55TLI-TR CY62137FV30LL-45ZSXI
描述 RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K X 16,55ns,2.5V 3.6V,44Pin TSOP II, LeadfreeRAM，Cypress Semiconductor### SRAM（静态随机存取存储器）
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 44 44 44
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
时钟频率 - - 1 MHz
位数 16 16 16
存取时间 55 ns 55 ns 45 ns
存取时间(Max) 55 ns 55 ns 45 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.5V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V
电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) -
内存容量 250000 B 2000000 B -
电源电压(Max) - 3.6 V -
电源电压(Min) - 2.5 V -
长度 18.52 mm - 18.52 mm
宽度 10.29 mm - 10.262 mm
高度 1.05 mm - 1.044 mm
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 3A991.b.2.a