PDTC114EM和PDTC114EM,315

对比图

型号 PDTC114EM PDTC114EM,315 934057170315

描述 NPN电阻配备晶体管; R1 = 10千欧， R2 = 10千欧 NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohmDFN NPN 50V 100mASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DFN SOT-883 -

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

耗散功率 - 0.25 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @5mA, 5V -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

封装 DFN SOT-883 -

高度 - 0.47 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -