对比图
型号 BSO4420 IRF7821TRPBF IRF8714PBF
描述 的OptiMOS小信号三极管 OptiMOS Small-Signal-TransistorHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF8714PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8.7 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 13.0 A - -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13.6A 14A
上升时间 44.0 ns 2.7 ns 9.9 ns
输入电容(Ciss) 2213pF @25V(Vds) 1010pF @15V(Vds) 1020pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 - 2.5 W 2.5 W
漏源极电阻 - 0.007 Ω 0.0087 Ω
阈值电压 - 1 V 1.8 V
下降时间 - 7.3 ns 5 ns
工作温度(Max) - 155 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
通道数 - - 1
针脚数 - - 8
漏源击穿电压 - - 30 V
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -