BC875和PBSS5140S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC875 PBSS5140S 2N2220

描述 NPN达林顿晶体管 NPN Darlington transistors40伏的低VCEsat晶体管PNP晶体管 40 V low VCEsat PNP transistorSmall Signal Transistors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Central Semiconductor

分类

基础参数对比

封装 TO-92-3 SPT -

安装方式 - Through Hole -

极性 NPN PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 40 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

耗散功率(Max) 830 mW - -

封装 TO-92-3 SPT -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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