对比图
型号 IRF510S IRF510SPBF IRF510STRLPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAKPower Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Intertechnology
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 TO-263-3 TO-263-3 -
耗散功率 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3700 mW -
上升时间 - 16 ns -
输入电容(Ciss) 180pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds) -
下降时间 - 9.4 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - 55 ℃ -
耗散功率(Max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 100 V - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 -
长度 10.67 mm - -
宽度 9.65 mm - -
高度 4.83 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free