SSI7N60BTU和STB13NK60Z-1

对比图

型号 SSI7N60BTU STB13NK60Z-1 IRFSL9N60APBF

描述 N沟道 600V 7AN沟道600V - 0.48ヘ-13A - TO- 220 / FP - D / IPAK - TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V-0.48ヘ-13A-TO-220/FP-D/IPAK-TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFETPower Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, TO-262, 3Pin

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Intertechnology

分类 MOS管

封装 TO-262 I2PAK TO-262

引脚数 - 3 -

安装方式 Surface Mount - -

封装 TO-262 I2PAK TO-262

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

极性 N-Channel N-CH -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 13A -

上升时间 - 14 ns -

输入电容(Ciss) - 2030pF @25V(Vds) -

下降时间 - 12 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 150000 mW -

漏源极电阻 1.20 Ω - -

耗散功率 3.13 W - -

漏源击穿电压 600 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

ECCN代码 EAR99 - -