对比图
型号 IPI60R125CP STP30NM60N IPW60R125CP
描述 CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power TransistorN沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAKINFINEON IPW60R125CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-247-3
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 25.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 0.11 Ω - 0.11 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 208 W 190W (Tc) 208 W
阈值电压 3 V - 3 V
输入电容 - - 2.50 nF
栅电荷 - - 70.0 nC
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 25.0 A 12.5 A 25.0 A
上升时间 5 ns - 5 ns
输入电容(Ciss) - 2700pF @50V(Vds) 2500pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - - 208 W
下降时间 5 ns - 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) - 190W (Tc) 208W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 600 V - -
长度 10.2 mm - 16.13 mm
宽度 4.5 mm - 5.21 mm
高度 9.45 mm - 21.1 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Obsolete Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17