对比图
型号 IXBH40N160 IXSH35N140A
描述 N-沟道 1600 V 40 A 法兰安装 高压 BiMosFET - TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 1400V 70A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
额定功率 - 300 W
耗散功率 350 W 300000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 1600 V 1400 V
额定功率(Max) 350 W 300 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350000 mW 300000 mW
额定电压(DC) 1.60 kV -
额定电流 33.0 A -
极性 N-Channel -
上升时间 60.0 ns -
高度 21.46 mm 21.46 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3
长度 16.26 mm -
宽度 5.3 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -