IS42S86400B-7TLI和IS42S86400D-7TL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S86400B-7TLI IS42S86400D-7TL IS42S86400F-7TLI

描述 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143MHz, 54Pin TSOP II RoHS, ITSynchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, LEAD FREE, TSSOP2, 54Pin动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

供电电流 150 mA 160 mA 150 mA

位数 8 8 8

存取时间 - 5.4 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 6ns, 5.4ns 5.4 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3 V -

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

高度 1.05 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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