71256SA12TP和IDT71256SA12TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71256SA12TP IDT71256SA12TP 71256SA12TPG

描述 SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 12ns 28Pin PDIP TubeCMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 4.5V 至 5.5V, DIP, 28 引脚, 12 ns

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP-28 PDIP-28

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 28 - 28

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

针脚数 - - 28

存取时间 - - 12 ns

封装 DIP DIP-28 PDIP-28

高度 3.3 mm - 3.43 mm

长度 - - 34.3 mm

宽度 - - 7.62 mm

厚度 - - 3.30 mm

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

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