SIHF15N60E-GE3和SPA16N50C3XKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SIHF15N60E-GE3 SPA16N50C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1

描述 VISHAY  SIHF15N60E-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  SPA16N50C3XKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPA15N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 560 V -

额定电流 - 16.0 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.23 Ω 0.25 Ω 0.25 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 34 W 160 W 34 W

阈值电压 2 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 560 V 650 V

连续漏极电流(Ids) - 16.0 A 15A

上升时间 26 ns 8 ns 5 ns

输入电容(Ciss) - 1600pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds)

下降时间 22 ns 8 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 34 W 34W (Tc)

长度 - 10.65 mm 10.65 mm

宽度 - 4.85 mm 4.85 mm

高度 - 16.15 mm 9.83 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 - Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2017/01/12

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台