对比图
型号 FQD5N60C SSR4N60BTF STD4NK60ZT4
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN沟道 600V 2.8ASTMICROELECTRONICS STD4NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 2.3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 DPAK TO-252 TO-252-3
引脚数 - - 3
漏源极电阻 - 2.50 Ω 2 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 2.50 W 70 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V 600 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.8A 2.80 A 4.00 A
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 4.00 A
额定功率 - - 70 W
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 2.3 V
上升时间 - - 9.5 ns
输入电容(Ciss) - - 510pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 70 W
下降时间 - - 16.5 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 70000 mW
封装 DPAK TO-252 TO-252-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - - 2.4 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - EAR99 EAR99
工作温度 - - 150℃ (TJ)