BC560C和BC560CTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC560C BC560CTA BC560CG

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC560C Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45V, 150MHz, 0.5W(1/2W), -100mA, 110 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC560CTA  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 420 hFEON SEMICONDUCTOR  BC560CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 250 MHz, 625 mW, -100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 - 150 MHz 250 MHz

额定功率 - 500 mW 500 mW

针脚数 - 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP, P-Channel

耗散功率 500 mW 500 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 380 @2mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 110 420 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 625 mW

额定电压(DC) -45.0 V - -45.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

工作温度(Min) - - -55 ℃

长度 - 5.2 mm 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm 4.19 mm

高度 - 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Ammo Pack Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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