MC33171DR2G和V62/04755-07XE

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33171DR2G V62/04755-07XE MC33171PG

描述 MC33171/2/4,MCV33172,低功率,单电源 3 V 至 44 V,运算放大器,ON SemiconductorMC33171(单路),MC33172(双路),MC33174(四路) 低电源电流:每个放大器 180 μA 宽带宽:1.8 MHz 高转换速率:2.1 V/μs 低输入偏置电压:2 mV NCV33172 适用于汽车应用;符合 AEC-Q100 ### 运算放大器,ON Semiconductor神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERSON SEMICONDUCTOR  MC33171PG  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 2.1 V/µs, ± 1.5V 至 ± 22V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC DIP-8

电源电压(DC) - - 15.0 V

供电电流 220 µA - 220 µA

电路数 1 - 1

通道数 - 1 1

针脚数 8 - 8

共模抑制比 90 dB - 80 dB

带宽 1.8 MHz - 1.8 MHz

转换速率 2.10 V/μs 500 mV/μs 2.10 V/μs

增益频宽积 1.8 MHz 1.2 MHz 1.8 MHz

输入补偿电压 2 mV - 2 mV

输入偏置电流 20 nA - 20 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.8 MHz 1.2 MHz 1.8 MHz

共模抑制比(Min) 80 dB 85 dB 80 dB

电源电压(Max) - - 44 V

电源电压(Min) - - 3 V

输出电流 5 mA ≤20 mA -

输入补偿漂移 - 2.00 µV/K -

无卤素状态 Halogen Free - -

电源电压 3V ~ 44V - -

长度 5 mm - 9.27 mm

宽度 4 mm - 6.35 mm

高度 1.5 mm - 5.33 mm

封装 SOIC-8 SOIC DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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