IRFSL4410Z和IRFSL4410ZPBF的区别_IRFSL4410Z代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 MOSFET N-CH 100V 97A TO-262晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 4 VPower Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-262-3 TO-262-3 -

引脚数 - 3 -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

输入电容(Ciss) 4820pF @50V(Vds) 4820pF @50V(Vds) -

额定功率(Max) 230 W - -

额定功率 - 230 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0072 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 230 W -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 4820 pF -

连续漏极电流(Ids) - 97A -

上升时间 - 52 ns -

下降时间 - 57 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 230W (Tc) -

封装 TO-262-3 TO-262-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -