1N5230B和BZV55-B4V7,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5230B BZV55-B4V7,135

描述 1N5230 系列 500 mW 4.7 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35Mini-MELF 4.7V 0.5W(1/2W)

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

封装 DO-35 SOD-80

引脚数 2 -

容差 ±5 % ±2 %

正向电压 1.2 V 900mV @10mA

耗散功率 500 mW 500 mW

测试电流 20 mA 5 mA

稳压值 4.7 V 4.7 V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW

额定电压(DC) 4.70 V -

额定功率 500 mW -

击穿电压 4.70 V -

针脚数 2 -

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

封装 DO-35 SOD-80

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃

温度系数 - -1.4 mV/K

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bag Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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