AD586JRZ和REF02APG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD586JRZ REF02APG4 AD586JR

描述 ANALOG DEVICES  AD586JRZ  电压参考, 高精准, 系列 - 固定, AD586系列, 5V, NSOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  REF02APG4  电压基准, 精密, 系列 - 固定, REF02系列, 5V, DIP-8高精度5 V基准 High Precision 5 V Reference

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

容差 ±0.4 % ±0.3 % ±0.4 %

输入电压(DC) 10.8V ~ 36.0V 8.00V ~ 33.0V 36.0V (max)

输出电压 5 V 5 V 5 V

输出电流 10 mA 21 mA 10 mA

供电电流 3 mA 1.4 mA 3 mA

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 -

静态电流 - 1.00 mA -

输入电压(Max) 36 V 40 V 36 V

输入电压(Min) - 8 V -

输出电压(Max) 5.02 V 5 V -

输出电压(Min) 5 V 5 V 5 V

输出电流(Max) 10 mA 21 mA 10 mA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

工作结温(Max) - 85 ℃ -

精度 ±0.4 % ±0.2 % ±20 mV

输入电压 10.8V ~ 36V 8V ~ 40V 10.8V ~ 36V

电源电压(DC) 15.8V (max) - -

位数 0 - -

长度 5 mm 9.81 mm -

宽度 4 mm 6.35 mm -

高度 1.5 mm 4.57 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

温度系数 ±25 ppm/℃ ±15 ppm/℃ ±25 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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