BC857BE6327和BC857BF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857BE6327 BC857BF BC560CG

描述 PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF TransistorPNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF TransistorON SEMICONDUCTOR  BC560CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 250 MHz, 625 mW, -100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Through Hole

引脚数 - - 3

封装 SOT-23 - TO-226-3

频率 250 MHz - 250 MHz

额定电压(DC) - - -45.0 V

额定电流 - - -100 mA

额定功率 - - 500 mW

针脚数 - - 3

极性 PNP - PNP, P-Channel

耗散功率 330 mW - 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V - 45 V

集电极最大允许电流 0.1A - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 250 - 380 @2mA, 5V

额定功率(Max) - - 625 mW

直流电流增益(hFE) - - 100

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 625 mW

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

封装 SOT-23 - TO-226-3

材质 - - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99

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