对比图
型号 IPU80R1K0CEAKMA1 IPU80R1K0CEBKMA1
描述 N沟道 800V 5.7ATO-251 N-CH 800V 5.7A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-251 TO-251-3
额定功率 - 83 W
极性 - N-CH
耗散功率 - 83 W
漏源极电压(Vds) - 800 V
连续漏极电流(Ids) - 5.7A
上升时间 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 785pF @100V(Vds) 785pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 83 W
下降时间 8 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc)
长度 - 6.73 mm
宽度 - 2.38 mm
高度 - 6.22 mm
封装 TO-251 TO-251-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free Lead Free