MC4558CD和RC4558IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC4558CD RC4558IDR TLE2072IDRG4

描述 STMICROELECTRONICS  MC4558CD  运算放大器, 双路, 5.5 MHz, 2个放大器, 2.2 V/µs, ± 2V 至 ± 20V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  RC4558IDR  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 1.7 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚运算放大器 - 运放 Dual Low-Noise Hi-Sp JFET-Input Op Amp

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 44.0 V 30.0 V -

工作电压 2V ~ 20V - -

供电电流 2.3 mA 2.5 mA 3.1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 -

耗散功率 680 mW - -

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

带宽 5.5 MHz 3 MHz -

转换速率 2.20 V/μs 1.70 V/μs 40.0 V/μs

增益频宽积 5.5 MHz 3 MHz 10 MHz

输入补偿电压 1 mV 500 µV 1.1 mV

输入偏置电流 50 nA 150 nA 20 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 5.5 MHz 3 MHz -

耗散功率(Max) 680 mW - -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压(Max) 20 V - -

输入补偿漂移 - 0.00 V/K 2.40 µV/K

输出电流 - - ≤80 mA

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.91 mm

高度 1.65 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

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