TSV632IDT和TSV632IYDT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TSV632IDT TSV632IYDT OPA2348AID

描述 STMICROELECTRONICS  TSV632IDT  运算放大器, 双路, 880 kHz, 2个放大器, 0.34 V/µs, 1.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚运算放大器, 轨至轨输入, 2个放大器, 880 kHz, 0.34 V/µs, 1.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚CMOS 运算放大器,OPA 系列### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

供电电流 60 µA 60 µA 45 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 60 dB 60 dB 60 dB

输入补偿漂移 - - 4.00 µV/K

带宽 880 kHz 880 kHz 1 MHz

转换速率 340 mV/μs - 500 mV/μs

增益频宽积 880 kHz 0.88 MHz 1 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 1 mV

输入偏置电流 1 pA 0.000001μA @5V 0.5 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 880 kHz - 1 MHz

共模抑制比(Min) 60 dB 60 dB 60 dB

电源电压 1.5V ~ 5.5V 1.5V ~ 5.5V 2.1V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 1.5 V - 2.1 V

输出电流 74 mA 74mA @5V -

针脚数 8 8 -

电源电压(DC) 5.50V (max) - -

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.91 mm

高度 1.25 mm 1.65 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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