JAN1N485B和JANTX1N485B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N485B JANTX1N485B 1N485BTRLEADFREE

描述 DIODE ZENER 180V 0.5W(1/2W) DO35冶金结合,全密封 METALLURGICALLY BONDED, HERMETICALLY SEALEDRectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35 -

容差 ±2 % - -

正向电压 1V @100mA 1V @100mA -

正向电流 200 mA 200 mA -

稳压值 180 V - -

额定功率(Max) 500 mW - -

正向电流(Max) 0.2 A 200 mA -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

封装 DO-35 DO-35 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

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